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Fachbereich Ingenieurwissenschaften und Kommunikation

Entwicklung einer Halbbrücke mit einer integrierten Gate-Drive-Steuerung zum Schutz von Halbleiterbauelementen

Die Idee hinter dem Projekt ist es, die Faktoren zu untersuchen, die die Verluste in den WBG-Geräten beeinflussen. Auf der Grundlage der Untersuchung soll eine analoge und digitale Steuerschaltung entwickelt werden, um den Schutz des Geräts und die Verluste im Betrieb zu verbessern.

Allgemeines zum Projekt

Projekttitel: Entwicklung einer Halbbrücke mit einer integrierten Gate-Drive-Steuerung zum Schutz von Halbleiterbauelementen

Betreuer: Dr.-Ing. Bikash Sah und Christian Lottis

E-Mail: bikash.sah@h-brs.de / marco.jung@h-brs.de

Anzahl Plätze: 1

Start: Sommersemester 2023

Studiengänge:

  • Elektrotechnik Schwerpunkt Elektrotechnische Systementwicklung
  • Nachhaltige Ingenieurwissenschaft

 

Kurzbeschreibung

Die Idee hinter dem Projekt ist es, die Faktoren zu untersuchen, die die Verluste in den WBG-Geräten beeinflussen. Auf der Grundlage der Untersuchung soll eine analoge und digitale Steuerschaltung entwickelt werden, um den Schutz des Geräts und die Verluste im Betrieb zu verbessern. Die Arbeit beginnt mit einer Untersuchung an einem Gerät und wird dann auf ein Gerät in einer Halbbrückenkonfiguration ausgeweitet, gefolgt von parallelen Geräten in einer Einzelschalterkonfiguration und einer Halbbrückenkonfiguration.

Die Idee kann anhand einer Anwendungsschaltung demonstriert werden, die bei geringer Leistung (>1 kW) zum Abschluss der Masterarbeit entwickelt wird.

Zusatzinfos:

https://www.h-brs.de/de/gan-highpower

 

Projektphasen

Masterprojekt 1: Einarbeitung in die Thematik, Literaturrecherche, Recherche, analytische und simulative Untersuchungen, Spezifikation und Parameterbestimmung sowie Entwicklung von Entwurfswerkzeugen

Masterprojekt 2: Schaltplanentwicklung und PCB Layout Design, Hardwareentwicklung und Inbetriebnahme.

Masterthesis: Design einer Halbbrückentopologie mit analoger Abtastung und Steuerung

Kontakt

bikash_sah_2022_foto_privat.jpg (DE)

Bikash Sah

Scientific Staff Project GaN-HighPower

Standort

Sankt Augustin

Raum

H 208

Adresse

Grantham-Allee 20

53757 Sankt Augustin

Christian Lottis - EMT (DE)

Christian Lottis

Projekt GaN-HighPower

Standort

Sankt Augustin

Adresse

Grantham-Allee 20

53757 Sankt Augustin